金融界2025年2月22日消息，国家知识产权局信息显示，泰科天润半导体科技（北京）有限公司取得一项名为“一种横向耐压的平面栅碳化硅MOSFET”的专利，授权公告号CN222509868U，申请日期为2024年5月。

专利摘要显示，本实用新型提供了一种横向耐压的平面栅碳化硅MOSFET，包括P型阱区下侧面连接至碳化硅绝缘衬底上侧面，P型阱区上设有N型耐压区、P型源区以及第一N型源区，P型源区连接至第一N型源区；N型阱区下侧面连接至碳化硅绝缘衬底上侧面，N型阱区左侧面连接至P型阱区右侧面，N型阱区上设有第二N型源区以及P型耐压区；栅介质层分别连接P型阱区、N型阱区、N型耐压区以及P型耐压区；源极金属层分别连接P型源区以及第一N型源区；漏极金属层连接至第二N型源区；栅极金属层连接至栅介质层，提高器件的耐压能力，且不需要加厚外延层的厚度。

天眼查资料显示，泰科天润半导体科技（北京）有限公司，成立于2011年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本27745.22万人民币，实缴资本27745.22万人民币。通过天眼查大数据分析，泰科天润半导体科技（北京）有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目78次，知识产权方面有商标信息5条，专利信息216条，此外企业还拥有行政许可21个。

本文源自：金融界